硅电感器产品介绍
缶英硅电感器是以硅为衬底或采用硅基工艺制造的电感器件，通过硅通孔（TSV）技术的三维硅电感器成为突破传统平面电感性能与面积限制的重要方向，在射频、电源管理等集成电路中扮演着关键角色。
缶英硅电感器基于TSV的三维硅电感器双螺旋嵌套式设计，利用垂直的TSV金属柱与各层金属互连线连接，在三维空间内形成螺旋管状或更复杂的立体线圈结构。
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结构创新
一种典型结构是在中间层排列N×N的TSV阵列，TSV内的金属柱与顶层和底层的金属互连线串联，形成竖直平面内的三维螺旋路径。电流依次流经每个金属柱，总电感值为所有TSV自感与互感的叠加，从而大幅提高电感密度。
性能参数
基于TSV的3D电感可以实现高Q值（品质因数）和稳定的电感值，Q值在2.55 GHz可达峰值25左右，电感值在3 GHz内可稳定在4 nH左右，自谐振频率约为6 GHz。
设计优化
为精确评估和设计TSV电感，缶英建立了相应的等效电路模型，该模型通过解析方法构建并考虑寄生参数，其仿真结果与实测数据吻合良好，有助于提高设计精度和仿真效率
缶英硅电感器核心优势
• 高集成度与小尺寸：TSV技术实现了电感的垂直堆叠，在单位面积上能获得更高的电感值。有研究指出，采用TSV的三维电感结构可以大大减小所占芯片面积。采用平面磁芯的TSV电感器，其电感密度可达111 nH/mm²。
• 高性能：三维结构有助于降低衬底寄生损耗，提升品质因数（Q值）。同时，垂直互连缩短了路径，有利于降低寄生电阻和电感，改善高频特性。
• 与先进工艺兼容：TSV是三维集成电路（3D IC）的关键技术，基于TSV的电感器天然适合与逻辑、存储、射频等不同功能芯片进行异构集成。同时，与FOIN NEOCAP平台的硅电容颗可片上集成LC。
• 适用于高频应用：优化的硅基TSV电感工作频率可覆盖GHz范围，满足5G/6G射频前端、高速光通信等对高频性能的要求。
主要应用领域
- 射频与微波集成电路：用于5G/6G射频前端模块中的低噪声放大器（LNA）、压控振荡器（VCO）、滤波器等，实现高性能、小型化的射频系统。
- 高性能计算与AI芯片：在AI算力芯片、高性能SoC、服务器高密度电源中，用于电源管理模块（如集成电压调节器IVR），提供高效、稳定的电源转换和滤波；可用于构建三维集成的降压转换器，提升功率密度和效率。
- 三维集成与先进封装：作为三维系统级封装（3D-SiP）中的关键无源器件，与处理器、存储器等有源芯片垂直集成，实现系统级的小型化和性能提升。
- 无线通信与传感：适用于物联网（IoT）设备、无线充电系统的接收端、以及需要近场通信和能量传输的传感器节点。
总之，采用TSV技术的三维硅电感器通过结构创新，有效克服了传统电感在面积、性能和集成度方面的局限，成为推动射频、电源管理和三维集成系统向更高性能、更小体积发展的重要元件。
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