无源器件集成（Integrated Passive Device，IPD）产品介绍
缶英的IPD技术核心在于利用硅通孔技术和先进的半导体制造工艺，在单一的硅衬底上实现电容、电阻、电感的单片集成。TSV技术通过在硅片中刻蚀并填充垂直导通孔，实现了器件在三维空间的立体互联与堆叠，不仅显著提升了器件密度，还大幅缩短了互连路径。实现真正意义上的高性能、微型化集成无源器件。
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IPD - 器件融合制造：基于相同的半导体工艺平台（薄膜沉积、光刻、刻蚀、TSV等），将硅电容、硅电感、硅电阻集成于同一芯片上，实现器件融合与性能协同。
硅电容器
采用3D深槽/通孔结构，结合高介电常数（高k）介质材料，实现超高电容密度（如HDC系列可达200-500 nF/mm²）和优异的高频性能。
硅电感器
采用基于TSV的双螺旋嵌套式设计，构建三维立体线圈，实现了高电感密度和高品质因数（Q值），适配高频精密场景。
硅电阻器
提供包括Pt电阻、TaN薄膜电阻和多晶硅电阻在内的多种高精度、高稳定性的电阻元件，并可利用片上激光修调技术进行精密校准，精度达±0.1%。
缶英IPD核心优势
• 超高集成度与微型化：将电容、电感、电阻集成于单一硅芯片，TSV的垂直堆叠能力突破平面布局限制，在极小面积内集成复杂无源网络，特别适合对空间有极限要求的先进封装（如Chiplet、2.5D/3D IC）。
• 卓越的高频与电气性能：将电容、电感、电阻集成于单一硅芯片，三维集成结构和硅基材特性共同作用，实现极低的等效串联电阻、等效串联电感和寄生电容，保障GHz乃至更高频段的优异性能；半导体工艺确保器件参数（容值、感值、阻值）高一致性、高精度，宽温范围（-55℃至300℃）和高压下表现稳定、寿命长。
• 与先进封装和异质集成天然兼容：IPD芯片可作为3D-SiP中的一个集成无源层，或通过FOIN NEOCAP平台与有源芯片片上集成，构建完整的子系统，简化设计、提升整体性能。
• 提升系统可靠性：减少传统方案中大量分立元件的焊点与连接，降低故障率，提高系统整体可靠性。
主要应用领域
- 射频前端模块：为5G/6G基站和终端、Wi-Fi/蓝牙模块中的LNA、VCO、滤波器、阻抗匹配网络提供核心无源组件，实现高性能与小尺寸的统一。
- 高速光通信与数据中心：在800G/1.6T光模块、高速数据互联中，用于DSP差分信号AC耦合、射频阻抗匹配、电源去耦，保障信号完整性。
- 高性能计算与AI芯片：在AI服务器、HPC、Chiplet封装中，为集成电压调节器、电源分配网络提供高效的滤波、去耦和能量缓冲解决方案，提升算力芯片的供电质量与效率。
- 汽车电子与功率管理：适用于新能源汽车的OBC、高压系统、DC/DC转换器以及工业伺服驱动器、UPS，提供高可靠、耐高温的缓冲、滤波和无源网络。
- 先进封装与微型化终端：是2.5D/3D先进封装、智能手表、TWS耳机、微型传感器等实现极致小型化和高性能化的关键元件。
IPD定制服务
缶英微电子不仅提供标准的硅电容、电感和电阻产品，更能基于成熟的工艺平台和设计能力，根据客户的特定电路需求（如特定频段的滤波器、阻抗匹配网络、巴伦等），提供定制化的集成无源器件设计、制造和封装服务。通过IPD定制，可帮助客户进一步优化系统性能，减少外围元件数量，加速产品上市。
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