工作频率20GHz+的引线键合的上下电极硅电容器

HFC1系列是支持20GHz+的引线键合用上下电极硅电容器，采用半导体工艺技术开发的硅基深槽电容芯片，在超过20GHz的频率实现出色的静噪性能，同时满足高频率和高击穿强度两方面要求，提供高可靠性，以及对于温度和电压的静电容量稳定性。击穿强度高至150V，实现了在-55℃到200℃的工作温度范围内0.02%/V和40ppm/K的漂移。本系列产品是以光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等全部光电产品），以及高速数据系统和产品为目标，专为DC去耦和旁路用途设计的。

特点

应用

20GHz+的超宽带性能，IL＜2dB
尺寸0202/015015，静电容量值最高10nF
85°C/85Rh%/1000H可靠性验证
ESR＜14mΩ和ESL＜6pH超低
上电极支持厚Au方案

光电产品／高速数据
跨阻放大器（TIA）
光收发组件（ROSA/TOSA）
同步光纤网络（SONET）

部分选型（具体规格及资料请咨询我司销售）

HFC1	支持引线键合的上下垂直电极硅电容器
型号	容值	击穿电压（BV）	尺寸	厚度
HFC11422N25247-MAE	47 pF	150 V	0202	250 µm
HFC11422N25310-MAE	100 pF	150 V	0202	250 µm
HFC11422N25322-MAE	220 pF	150 V	0202	250 µm
HFC11422N25333-MAE	330 pF	150 V	0202	250 µm
HFC11422N25347-MAE	470 pF	150 V	0202	250 µm
HFC11222N25368-MAE	680 pF	100 V	0202	250 µm
HFC11222N25382-MAE	820 pF	100 V	0202	250 µm
HFC11222N25410-MAE	1 nF	100 V	0202	250 µm
HFC10622N25447-MAE	4.7 nF	50 V	0202	250 µm
HFC10422N25510-MAE	10 nF	30 V	0202	250 µm