HBC1系列是高击穿电压的引线键合的上下电极硅电容器，采用半导体工艺技术开发的硅基深槽电容芯片，支持的击穿电压可达400V。缶英NeoCap 硅电容技术凭借 TSV（硅通孔）工艺提升介质层厚度带来的电容值的损失，TSV高深宽比 (>20:1)，深度 > 50μm，侧壁垂直度误差 < 0.5°，避免电场集中。本系列产品是适用于功率电子领域，如SiC/GaN 功率模块 RC 缓冲电路，适用于工业自动化高压电源稳压与滤波，如400V 工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）的直流母线支撑，适用于航空航天特种设备等，适用于AI 算力中心 ±400V 供电架构的 PDN（电源分配网络）去耦。

特点

应用

• 高击穿电压
• 40ppm温度稳定性
• ESR/ESL极低
• 高可靠性

• 功率电子领域
• 射频与高频通信系统
• 射频与雷达系统高压偏置电路
• 工业自动化高压电源稳压与滤波
• 替代高压SLCC

HBC1

支持引线键合的上下垂直电极硅电容器

型号

容值

击穿电压（BV）

尺寸

厚度

HBC12411N10247-KTW

47 pF

400 V

0101

100 µm

HBC12411N10310-KTW

100 pF

400 V

0101

100 µm

HBC12411N10322-KTW

220 pF

400 V

0101

100 µm

HBC12411N10333-KTW

330 pF

400 V

0101

100 µm

HBC12422N25210-KTW

10 pF

400 V

0202

250 µm

HBC12422N25210-KTW

22 pF

400 V

0202

250 µm

HBC12422N25268-KTW

68 pF

400 V

0202

250 µm

HBC12422N25347-KTW

470 pF

400 V

0202

250 µm