支持高温的焊装的水平电极硅电容器

HTC2系列是支持高温的焊装的水平电极硅电容器，采用半导体工艺技术开发的硅基深槽电容芯片，支持的工作温度可达300°C。缶英高温硅电容采用热稳定性极佳的复合叠层介质材料，同时经过超高温长时间退火，使介质材料的缺陷减少，具有很高的化学稳定性和宽禁带，在高温下不易发生分解或晶相转变。在电极材料上，使用掺杂多晶硅和难熔金属作为电极，具有高熔点、低电阻率，且在高温下与介质材料的反应扩散小，能保持稳定的接触和电学特性。本系列产品具有卓越的可集成性，不仅是高温下的稳定元件，更是实现高温“片上系统”和“智能传感器”的关键使能部件，特别适用于空间极端受限、要求系统高度微型化与一体化的尖端应用领域。