超微型的引线键合的上下电极硅电容器

UMC1系列是超微型的引线键合的上下电极硅电容器，采用半导体工艺技术开发的硅基深槽电容芯片，厚度可到100μm，尺寸可到0.125mm x 0.125mm。缶英NeoCap 硅电容技术凭借 TSV（硅通孔）工艺提升介质层厚度带来的电容值的损失，TSV高深宽比 (>20:1)，深度100μm。本系列产品适用于晶圆级/芯片级先进封装，在硅中介层或再布线层中制作，为高速芯片提供近零距离、超低电感的去耦。以及在紧凑消费电子，如智能手机、真无线耳机、超薄手表中的电源去耦和滤波，在极限空间内提供必需的电容量。