UMC2系列系列是超微型的焊装的水平电极硅电容器，采用半导体工艺技术开发的硅基深槽电容芯片，厚度可到100μm，尺寸可到0.25mm x 0.125mm。缶英NeoCap 硅电容技术凭借 TSV（硅通孔）工艺提升介质层厚度带来的电容值的损失，TSV高深宽比 (>20:1)，深度100μm.