击穿电压400V的焊装的水平电极硅电容器

硅电容器HBC1系列是高击穿电压的焊装的水平电极硅电容器，采用半导体工艺技术开发的硅基深槽电容芯片，支持的击穿电压可达400V。缶英NeoCap 硅电容技术凭借 TSV（硅通孔）工艺提升介质层厚度带来的电容值的损失，TSV高深宽比 (>20:1)，深度 > 50μm，侧壁垂直度误差 < 0.5°，避免电场集中。本系列产品中高压功率电子、高频精密电路、高可靠性工业 / 车载等场景，核心作用聚焦于电压尖峰抑制、电源滤波、信号稳定、瞬态能量管理，尤其在需要低寄生参数、耐高温、高一致性的工况中表现突出。