最高工作温度300°C的引线键合的上下电极硅电容器
| HTC1系列是支持高温的引线键合的上下电极硅电容器，采用半导体工艺技术开发的硅基深槽电容芯片，支持的工作温度可达300°C。缶英高温硅电容采用热稳定性极佳的复合叠层介质材料，同时经过超高温长时间退火，使介质材料的缺陷减少，具有很高的化学稳定性和宽禁带，在高温下不易发生分解或晶相转变。在电极材料上，使用掺杂多晶硅和难熔金属作为电极，具有高熔点、低电阻率，且在高温下与介质材料的反应扩散小，能保持稳定的接触和电学特性。这类电容常用于航空航天、深井探测、汽车引擎等极端环境下的电子系统，适用于DC滤波和去耦。 |
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特点 |
应用 |
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