工作频率10GHz的引线键合的上下电极高精度硅电容器
| HFC3系列是支持工作频率10GHz以内的引线键合的上下电极高精度硅电容器，利用半导体工艺，开发浅沟槽结构的硅电容器，容值精度低于±1%，支持的击穿电压可达150V。本系列产品依靠超过1200℃的高温工艺的高纯度氧化膜，可靠性最高提升10倍，使DC电压与整个工作温度范围的静电容量的稳定性非常突出。纯氧化膜几乎不存在压电效应，避免带来一系列严重的电路可靠性与性能问题。本系列产品是适用于无线通信（例如5G）、雷达、数据播放系统之类的RF大功率用途，适用于DC去耦、匹配电路、高次谐波／噪声滤除功能等。 |  |
特点 |
应用 |
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部分选型（具体规格及资料请咨询我司销售）
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HFC3 |
支持引线键合的上下垂直电极硅电容 |
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型号 |
容值 |
击穿电压（BV） |
尺寸 |
厚度 |
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HFC30611N15108-KTE |
0.8 pF |
50 V |
0101 |
150 µm |
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HFC30611N15182-KTE |
8.2 pF |
50 V |
0101 |
150 µm |
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HFC30611N15222-KTE |
22 pF |
50 V |
0101 |
150 µm |
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HFC30611N15233-KTE |
33 pF |
50 V |
0101 |
150 µm |
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HFC30611N15410-KTE |
100 pF |
50 V |
0101 |
150 µm |
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HFC30611N15422-KTE |
220 pF |
50 V |
0101 |
150 µm |