工作频率10GHz的焊装的水平电极高精度硅电容器
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HFC2系列是支持工作频率10GHz以内的焊装的水平电极高精度硅电容器，利用半导体工艺，开发浅深槽结构的硅电容器，容值精度低于±1%，支持的击穿电压可达50V。本系列产品依靠超过1200℃的高温工艺的高纯度氧化膜，可靠性最高提升10倍，使DC电压与整个工作温度范围的静电容量的稳定性非常突出，GHz 频段低损耗、高 Q 值。本系列产品是适用于5G/4G、WiFi / 蓝牙、IoT 模块的阻抗匹配、耦合、滤波、谐振，以及GHz 级高速信号耦合、寄生电容补偿、微波电路调谐。同时，替代MLCC在微型便携设备TWS 耳机、智能手表、手环、微型传感器、小型 IoT 终端的应用。 |
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特点 |
应用 |
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部分选型（具体规格及资料请咨询本司销售）
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HFC2 |
焊装水平电极硅电容器 |
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型号 |
容值 |
击穿电压（BV） |
尺寸 |
厚度 |
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HFC20421N20103-KTE |
0.3 pF |
50 V |
0201 |
200 µm |
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HFC20421N20108-KTE |
0.8 pF |
50 V |
0201 |
200 µm |
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HFC20421N20112-KTE |
1.2pF |
50 V |
0201 |
200 µm |
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HFC20421N20115-KTE |
1.5 pF |
50 V |
0201 |
200 µm |
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HFC20421N20182-MAE |
8.2 pF |
50 V |
0201 |
200 µm |
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HFC20421N20247-MAE |
47 pF |
50 V |
0201 |
200 µm |
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HFC20421N20310-MAE |
100 pF |
50 V |
0201 |
200 µm |
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HFC20421N20333-MAE |
330 pF |
30 V |
0201 |
200 µm |
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HFC20421N20347-MAE |
470 pF |
30 V |
0201 |
200 µm |
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HFC20421N20410-MAE |
1 nF |
30 V |
0201 |
200 µm |