工作频率40GHz的焊装的水平电极硅电容器
| HFC4系列是以光通信系统ROSA / TOSA、SONET等全部光电产品，以及高速数据系统和产品为目标，专为DC阻塞、耦合、旁路接地用途设计的。采用半导体工艺技术开发的硅基深槽电容芯片，实现低插入损耗、低反射、高相位稳定性。支持频率大于40GHz 至 110GHz 超宽频覆盖，在交流耦合、直流隔直、旁路接地等关键场景中，具备极低插入损耗、低反射损耗与优异相位稳定性，彻底解决 40GHz 以上高频信号衰减与失真难题。其极低 ESR、ESL 特性，搭配高 Q 值与高自谐振频率，让阻抗特性无限接近理想电容，完美适配 TIA 跨阻放大、射频阻抗匹配等高频回路。在稳定性上，电容值随温度、电压与老化的漂移极小，工作温区覆盖 - 55℃至 150℃，长期可靠性远超传统 MLCC。产品支持超薄微小型化设计，兼容引线键合、贴片回流焊与嵌入式集成，可直接适配 ROSA/TOSA 微型化封装与高密度光电集成，大幅节省 PCB 空间，提升模块集成度。该系列硅电容可全面满足 800G/1.6T 及更高速光模块、数据中心高速互联、AI 算力光传输等场景需求，稳定支撑信号耦合、电源去耦、阻抗匹配等核心功能，有效提升信号完整性与系统长期稳定性，是 40GHz 以上光电通信与高速数据系统的优选无源方案。可以根据外壳尺寸提供ENIG（镍、金）电极或无铅预凸块。 |  |
特点 |
应用 |
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部分选型（具体规格及资料请咨询我司销售）
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HFC4 |
焊装水平电极硅电容器 |
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型号 |
容值 |
击穿电压（BV） |
尺寸 |
厚度 |
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HFC40442N20410-KTE |
1 nF |
30 V |
0402 |
200 µm |
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HFC40442N20422-KTE |
2.2 nF |
30 V |
0402 |
200 µm |
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HFC40442N20456-KTE |
5.6 nF |
30 V |
0402 |
200 µm |
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HFC40342N20510-KTE |
10 nF |
11 V |
0402 |
200 µm |
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HFC40342N20522-MAE |
22 nF |
11 V |
0402 |
200 µm |