电容密度高于200nF/mm2的引线键合的上下电极硅电容器
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HDC1系列是高电容密度的引线键合用上下电极硅电容器，采用半导体工艺技术开发的硅基深槽电容芯片，缶英NeoCap 硅电容技术凭借 TSV（硅通孔）工艺与新型高介电氧化物材料的创新融合，将电容密度突破性提升至 200nF/mm²，重塑了高密度电容的技术标杆。这一核心突破源于双重技术革新，TSV 工艺通过深度反应离子刻蚀在硅片形成高深比通孔，填充导电材料实现垂直互连，让多层电容单元精准堆叠并联，大幅拓展有效电容面积；搭配新型氧化物等新型高 k 材料（介电常数达90，远超传统 SiO₂的 3.9），在缩减介质层厚度的同时抑制漏电，双重加持下实现密度飞跃。本系列产品是适用于电源去耦、母线支撑、储能应用，如CPU/GPU 电源去耦，可直接集成于电源 IC 封装内，实现电源 - 电容一体化，减少 PCB 走线损耗，如射频功率放大器（PA）偏置滤波等。 |
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特点 |
应用 |
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部分选型（具体规格及资料请咨询我司销售）
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HDC1 |
支持引线键合的上下垂直电极硅电容器 |
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型号 |
容值 |
击穿电压（BV） |
尺寸 |
厚度 |
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HDC11411N10410-MAW |
1 nF |
150 V |
0101 |
100 µm |
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HDC11211N10420-MAW |
2 nF |
100 V |
0101 |
100 µm |
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HDC10611N10447-MAW |
4.7 nF |
50 V |
0101 |
100 µm |
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HDC10411N10456-MAW |
5.6 nF |
30 V |
0101 |
100 µm |
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HDC10322N25510-MAE |
10 nF |
11 V |
0202 |
250 µm |
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HDC10222N25522-MAE |
22 nF |
5 V |
0202 |
250 µm |
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HDC10122N25547-MAE |
47 nF |
3 V |
0202 |
250 µm |
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HDC10122N25610-MAE |
100 nF |
3 V |
0202 |
250 µm |