电容密度高于200nF/mm2的引线键合的上下电极硅电容器
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HDC2系列是高电容密度的引线键合用上下电极硅电容器，采用半导体工艺技术开发的硅基深槽电容芯片，缶英NeoCap 硅电容技术凭借 TSV（硅通孔）工艺与新型高介电氧化物材料的创新融合，将电容密度突破性提升至 200nF/mm²，重塑了高密度电容的技术标杆。这一核心突破源于双重技术革新，TSV 工艺通过深度反应离子刻蚀在硅片形成高深比通孔，填充导电材料实现垂直互连，让多层电容单元精准堆叠并联，大幅拓展有效电容面积；搭配新型氧化物等新型高 k 材料（介电常数达90，远超传统 SiO₂的 3.9），在缩减介质层厚度的同时抑制漏电，双重加持下实现密度飞跃。本系列产品是适用于AI 服务器与高性能计算（HPC）中，为 Chiplet 封装与高带宽内存（HBM）提供电源完整性保障；5G 基站的高频电路中，高效吸收噪声、稳定信号传输；新能源汽车的功率模块里，耐受高温环境并节省安装空间；此外，高端医疗设备、航空航天电子等对可靠性要求极高的场景，也因该技术的低漏电、长寿命特性获得广泛应用。 |
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特点 |
应用 |
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部分选型（具体规格及资料请咨询我司销售）
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HDC2 |
焊装水平电极硅电容器 |
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型号 |
容值 |
击穿电压（BV） |
尺寸 |
厚度 |
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HDC21421N15410-LAT |
1 nF |
150 V |
0201 |
150 µm |
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HDC21221N15420-LAT |
2 nF |
100 V |
0201 |
150 µm |
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HDC20621N15447-LAT |
4.7 nF |
50 V |
0201 |
150 µm |
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HDC20421N15456-LAT |
5.6 nF |
30 V |
0201 |
150 µm |
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HDC20342N25510-LAT |
10 nF |
11 V |
0402 |
250 µm |
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HDC20242N25522-LAT |
22 nF |
11 V |
0402 |
250 µm |
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HDC20242N25547-LAT |
47 nF |
5 V |
0402 |
250 µm |
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HDC20242N25610-LAT |
100 nF |
5 V |
0402 |
250 µm |
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HDC20142N25620-LAT |
200 nF |
3 V |
0402 |
250 µm |