HDC4系列是高电容密度的焊装的水平电极硅电容器，采用半导体工艺技术开发的硅基深槽电容芯片，缶英NeoCap 硅电容技术凭借 TSV（硅通孔）工艺与新型高介电氧化物材料的创新融合，并借用ALD技术，将电容密度突破性提升至 500nF/mm²，重塑了高密度电容的技术标杆。这一核心突破源于双重技术革新，TSV 工艺通过深度反应离子刻蚀在硅片形成高深比通孔，填充导电材料实现垂直互连，让多层电容单元精准堆叠并联，大幅拓展有效电容面积；搭配新型氧化物等新型高 k 材料（介电常数达90，远超传统 SiO₂的 3.9），在缩减介质层厚度的同时抑制漏电，双重加持下实现密度飞跃。本系列产品是适用于AI 服务器与高性能计算（HPC）中，为 Chiplet 封装与高带宽内存（HBM）提供电源完整性保障；5G 基站的高频电路中，高效吸收噪声、稳定信号传输；新能源汽车的功率模块里，耐受高温环境并节省安装空间；此外，高端医疗设备、航空航天电子等对可靠性要求极高的场景，也因该技术的低漏电、长寿命特性获得广泛应用。

特点

应用

• 高电容密度
• 极低ESR/ESL
• 高 k 材料保障宽温域（-55℃至 125℃）
• 高一致性

• 5G / 毫米波射频前端
• 高速光模块 DSP 差分信号 AC 耦合
• 高速数字接口
• 高端轻薄消费电子
• 替代高容MLCC