据中国电子元件行业协会统计，2019年全球电容器市场规模达220亿美元，中国市场规模为1102亿元，占全球市场71%，且中国电容器市场规模增速持续高于全球规模增速。
2021年全球硅电容器市场价值15.8亿美元。从2022年到2031年，预计将以5.4%的CAGR增长。同时，根据Mordor Intelligence的一项研究，2021年全球MLCC市场规模达到116.3亿美元，预计2022年至2027年的复合年增长率为6.03%。
航空航天领域应用
传统电容器的性能会受到高温的显著影响。硅电容器有不同的额定温度，通常高达 250 °C。高温硅电容器适用于广泛的恶劣环境应用，包括飞机发动机控制、航空电子系统、汽车系统、井下石油勘探系统、军事应用和很快。此外，硅电容器提供高度稳定的电容性能作为电压和温度的函数且不会发生电容老化。此外，硅电容器的可靠性和电容在直流偏置条件下不会降低。
通信领域应用
随着移动基站继续增加以及数据中心流量需求不断增大，光通信市场也将会进一步扩大。目前，400Gbps的以太网(400GbE)正逐渐成为下一代数据中心的主流，而Beyond 400Gbps的研发也早已展开，高速化、小型化、高集成化的需求日益迫切。需开发硅电容适合于超宽带传输的光通信设备。
高频信号线直器的耦合电容器
解决偏置电路上去耦问题的去耦电容器
TOSA硅中介层IPD(硅集成无源器件）
硅电容器的分类
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分类 |
硅深槽（3D） |
MNOS（2D） |
MIS（2D） |
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特征 |
1.有较深的硅槽 2.深槽内也是功能区域 3.有多晶硅层 |
金属-氮化物-氧化物-半导体，一般是平面电容 |
金属-绝缘层-半导体，一般是平面电容 |
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代表企业 |
村田，台积电 |
京瓷 |
威世，思佳讯 |
硅电容器的优势
1）硅的稳定性能比较好，因此硅电容也相应具有出色的高频特性和温度特性、极低的偏置特性、很高的可靠性，以及低背化等特性。
2）硅电容还做得更小更薄，标准化的硅电容可以做到100微米，定制化的可以做到40~50微米。
3）硅电容这样的底部电极品更适合高速信号线，越接近阻抗连续性更好，信号品质更好。
4）硅电容器可靠性更高，工作电压下可保证100摄氏度，10年寿命。
5）硅电容器件本身插损很小，相比其他宽带电容产品，插损优势很明显。
6）硅电容的绝缘阻抗很高，优于陶瓷电容和钽电容。
